错误做法:

在金属晶格示意图中绘制随机排列的离子。

原因:

晶格是规则重复结构，随机排列不符合要求的模型，会导致失分。

正确做法:

绘制均匀、间距相等的正离子行，清晰展示规则晶格结构。

错误做法:

将金属键描述为正负离子之间的吸引力。

原因:

这是离子键而非金属键的定义，考官会对该描述打零分。

正确做法:

明确说明金属键是正金属离子与离域电子海之间的静电吸引力。

错误做法:

解释导电性时仅说'金属有自由电子'，未关联电荷移动。

原因:

考官要求你说明自由电子可携带电荷穿过晶格才能得满分。

正确做法:

补充说明施加电势差时，离域电子可自由移动并携带电荷。

错误做法:

解释延展性时说'金属键很弱'。

原因:

金属键通常很强，离子层滑动不会破坏键。该错误表述会失分。

正确做法:

解释正离子层可以相互滑动，同时离域电子维持层间的静电吸引力，因此晶格不会断裂。