电子轨道与电子排布
CIE A-Level 化学· 第2单元:原子结构· 20 分钟阅读
1. 量子结构:电子层、亚层和轨道★★☆☆☆⏱ 4 min
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原子轨道
原子核周围的三维空间区域,在该区域找到特定固定能量电子的概率为95%。
例:
1s轨道是离原子核最近的球形区域。
在现代量子模型中,电子排布在由主量子数标识的主层(能级)中。n越小,能量越低,离原子核越近。每个主层分为多个亚层,每个亚层包含固定数量的轨道。
亚层符号 | 轨道数量 | 最多电子数 | 首次出现在n= |
|---|---|---|---|
s | 1 | 2 | 1 |
p | 3 | 6 | 2 |
d | 5 | 10 | 3 |
f | 7 | 14 | 4 |
计算主层最多可容纳的电子总数。
- 1
找出主层包含的所有亚层:
- 2
- 3
找出每个亚层最多容纳的电子数:
- 4
3s = 2,3p = 6,3d = 10
- 5
计算电子总数:
- 6
2. 轨道填充规则★★☆☆☆⏱ 5 min
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构造原理
电子按能量由低到高的顺序填充轨道:能量较低的轨道完全填满后,才会填充能量较高的轨道。
泡利不相容原理:每个轨道最多容纳2个自旋相反的电子。
洪特规则:填充简并(能量相等)轨道时(例如三个2p轨道),电子优先分占不同轨道且自旋平行,全部轨道都被单电子占据后才会成对,这样可以最小化电子间的排斥力。
对于原子序数Z≤36(氪)的元素,轨道按能量由低到高的填充顺序为:
画出中性氮原子(Z=7)的轨道填充图。
- 1
总电子数 = 原子序数 = 7。
- 2
优先填充能量最低的轨道:1s容纳2个成对电子,2s容纳2个成对电子,剩余个电子填充在2p。
- 3
应用洪特规则:2p有3个简并轨道,每个轨道各填入1个自旋平行的未成对电子。
Exam tip:
CIE考官经常考察洪特规则的应用,因此一定要先确认轨道都被单电子占据后,再考虑电子成对。
3. 书写电子排布★★★☆☆⏱ 5 min
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电子排布可以写全排布,也可以使用稀有气体原子实的简写方式。在CIE考试中,要求你写出所有Z≤36的原子和离子的电子排布。
写出中性铁原子(Z=26)的全电子排布和简写电子排布。
- 1
总电子数 = 26,按能量顺序填充得:
- 2
按主量子数重新排列为常规顺序:
- 3
- 4
简写形式中,内层电子可以用前一个稀有气体(氩,Z=18)的符号代替:
- 5
测试你对过渡金属离子电子排布的理解:
的正确电子排布是哪一项?
[Ar] 3d^6
[Ar] 3d^4 4s^2
[Ar] 3d^6 4s^2
[Ar] 3d^8
显示答案
[Ar] 3d^6 —过渡金属形成正离子时,总是先失去4s电子,再失去3d电子。中性铁的4s轨道有2个电子,因此形成Fe²⁺时这两个电子都会失去。
4. 构造原理的例外★★★★☆⏱ 4 min
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对于CIE 9701考试,你只需要记住第一过渡系两种常见的填充顺序例外:铬(Z=24)和铜(Z=29)。这些例外的原因是:半充满(5电子)或全充满(10电子)的3d亚层由于对称性和交换能会获得额外的稳定性。
写出铜(Z=29)的正确电子排布,并解释它为什么是例外。
- 1
按标准填充会得到排布。
- 2
全充满的3d亚层(10电子)比排布更稳定。
- 3
一个4s电子会跃迁到3d,得到这个稳定排布。
- 4
正确的排布是:
- 5
Exam tip:
CIE几乎每次都会考察这两个例外,因此请记住:Cr = [Ar] 3d⁵ 4s¹,Cu = [Ar] 3d¹⁰ 4s¹。
5. 常见陷阱
错误做法:
认为因为4s先填充,所以书写时4s总是放在3d前面
原因:
混淆了填充顺序和按主量子数n排序的常规书写顺序
正确做法:
4s确实先填充,但3d的主量子数n更小,因此最终排布中3d写在4s前面
错误做法:
把铬的排布写成[Ar] 3d⁴ 4s²
原因:
忘记了半充满3d亚层的额外稳定性,这是CIE常考的核心例外
正确做法:
铬的正确电子排布是[Ar] 3d⁵ 4s¹
错误做法:
过渡金属形成离子时先失去3d电子
原因:
假设4s能量总是低于3d,但这仅在3d开始填充前成立
正确做法:
3d填充完成后,4s能量更高,因此电离时总是先失去4s电子
错误做法:
把轨道定义为电子运动的固定轨迹
原因:
混淆了旧的玻尔模型和现代量子模型
正确做法:
轨道是给定能量电子出现概率约为95%的空间区域
错误做法:
在所有简并轨道都填入单电子前就将电子成对
原因:
违反了洪特规则(最大多重度规则)
正确做法:
所有简并轨道都填入一个自旋平行的单电子后,再将电子成对
6. 速查表
概念 | CIE考试核心要点 |
|---|---|
填充顺序 | 1s → 2s → 2p → 3s → 3p → 4s → 3d → 4p |
书写顺序 | 按n排序:1s < 2s < 2p < 3s < 3p < 3d < 4s < 4p |
亚层最多电子数 | s=2, p=6, d=10, f=14 |
常见例外 | Cr: [Ar] 3d⁵ 4s¹; Cu: [Ar] 3d¹⁰ 4s¹ |
离子失电子顺序 | 先失4s电子,再失3d电子 |
轨道定义 | 电子出现概率为95%的空间区域 |
真题中的出现
AI 根据考纲规律估算的考点位置,请对照官方真题核实准确性。仅作复习重点参考。
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离子电子排布的选择题
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写出过渡金属的电子排布
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下一步
电子排布是整个现代化学的基础,它可以解释周期趋势、成键模式、化学反应性以及过渡金属的独特性质。这个子主题几乎在每份CIE 9701试卷中都会考察,选择题和结构化题中都会出现,因此掌握规则和例外对取得高分至关重要。理解电子排布和电离能的关系,会帮助你应对课程后续的周期趋势题目。
