晶格焓
CIE A-Level 化学· 第17单元:进阶化学能量学· 40 分钟阅读
1. 晶格焓的定义★☆☆☆☆⏱ 10 min
晶格焓
晶格焓有两种标准定义:生成晶格焓指标准条件(298 K、1 atm)下,由气态离子生成1摩尔固态离子化合物的过程。解离晶格焓是其逆过程,即1摩尔固态离子化合物分解为气态离子。
例:
For NaCl: kJ mol⁻¹, kJ mol⁻¹
判断过程 对应生成晶格焓还是解离晶格焓,并预测 的符号。
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步骤1:检查过程的状态和方向。反应物是孤立气态离子,产物是1摩尔固态离子化合物。
- 2
这符合生成晶格焓的定义。
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步骤2:形成离子晶格需要形成新的离子键,该过程释放能量,因此是放热过程。
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结论:这是生成晶格焓, 为负值。
2. 影响晶格焓的因素★★☆☆☆⏱ 15 min
晶格焓的大小(生成焓越负、解离焓越正代表绝对值越大)取决于晶格中带相反电荷离子之间的静电引力强度,由两个关键因素决定:
离子电荷:离子电荷越高,离子间的静电引力越强,晶格焓的绝对值越大。
离子半径:离子半径越小,离子之间的距离越近,引力越强,晶格焓的绝对值越大。
解释为什么MgO的晶格焓绝对值(-3795 kJ mol⁻¹)远大于NaF的(-894 kJ mol⁻¹)。
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步骤1:先比较离子电荷。MgO含(+2)和(-2),而NaF含(+1)和(-1)。更高的电荷产生强得多的静电引力。
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步骤2:比较离子半径。(72 pm)小于(102 pm),(140 pm)的大小与(133 pm)相近,因此MgO中离子间距更小。
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步骤3:更高电荷和更小离子半径带来的更强引力意味着晶格形成时释放更多能量,因此MgO的晶格焓绝对值大得多。
测试你的理解:
下列哪一种物质的生成晶格焓绝对值最大?
KF
KCl
KBr
KI
显示答案
KF —正确!所有选项都含有相同的+1价钾阳离子。是半径最小的卤离子,因此引力最强,晶格焓绝对值最大。
3. 晶格焓与离子化合物的性质★★★☆☆⏱ 15 min
晶格焓的绝对值是固态离子化合物中离子键强度的直接衡量标准。晶格焓绝对值越大,离子键越强,这直接影响熔点和硬度等物理性质。破坏更强的离子晶格需要更多能量,因此熔点随晶格焓绝对值增大而升高。
预测哪一种化合物熔点更高:CaS还是CaO?用晶格焓的知识解释你的答案。
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步骤1:比较离子电荷。两种化合物都含有+2价钙阳离子和-2价阴离子,因此离子电荷相等。
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步骤2:比较阴离子半径。(140 pm)远小于(184 pm),因此CaO中离子平均间距小于CaS。
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步骤3:离子间距越小,静电引力越强,因此CaO的晶格焓绝对值大于CaS。
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步骤4:破坏CaO更强的晶格需要更多能量,因此CaO的熔点更高。
4. 常见陷阱
错误做法:
从固态元素出发定义晶格焓,而非从气态离子出发
原因:
这描述的是化合物的生成焓,而非晶格焓,考试中会丢掉全部分数
正确做法:
定义时一定要明确说明参与过程的离子是气态
错误做法:
混淆生成晶格焓和解离晶格焓的符号
原因:
这会导致玻恩-哈伯循环计算中出现错误数值,丢失多个分数
正确做法:
生成 = 气态离子生成固态,成键放热 → ΔH 为负;解离 = 固态分解为气态离子,断键吸热 → ΔH 为正
错误做法:
认为离子半径越大,晶格焓绝对值越大
原因:
更大的离子间距更远,因此静电引力更弱,而非更强
正确做法:
离子半径越小,引力越强,晶格焓绝对值越大
错误做法:
排序晶格焓时先比较离子半径,再比较离子电荷
原因:
离子电荷对晶格焓的影响远大于半径,先比较半径会得到错误排序
正确做法:
始终先比较离子电荷,只有当电荷相等时才比较离子半径
5. 速查表
概念 | 核心要点 | 生成ΔHlatt的绝对值 |
|---|---|---|
晶格生成 | 1摩尔固态由气态离子生成 | 始终为负 |
晶格解离 | 1摩尔固态分解为气态离子 | 始终为正 |
离子电荷更高 | 静电引力更强 | 更大(更负) |
离子半径更小 | 离子间距更近,引力更强 | 更大(更负) |
电荷 vs 半径 | 电荷效应主导半径效应 | +2/-2对比+1/-1会产生显著变化 |
真题中的出现
AI 根据考纲规律估算的考点位置,请对照官方真题核实准确性。仅作复习重点参考。
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比较晶格焓数值
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定义选择题
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影响晶格焓的因素
深入阅读
- internal玻恩-哈伯循环第17单元的下一个子主题
下一步
理解晶格焓是进阶化学能量学单元所有其他主题的核心基础。晶格焓数值广泛用于玻恩-哈伯循环计算,以求解电子亲和能等未知焓变,还可通过比较理论值和实验值确定名义离子化合物中的共价性程度。支配晶格焓的静电引力原理同样适用于水合焓和离子化合物的溶解度趋势,因此你在这里学到的技能可以直接应用到这些主题。掌握晶格焓的定义和影响因素对考试成功至关重要,因为本小节几乎总会在选择题和拓展回答题中被考察。
